Чтение онлайн

Может принимать значения:

– Auto — автоматическая установка соотношения;

– 1:1 — рабочая частота модулей памяти равна тактовой частоте процессора;

– 3:4 — для тактовой частоты процессора 100 МГц рабочая частота модулей оперативной памяти будет составлять 133 МГц.

• DRAM Clock

Опция позволяет установить рабочую частоту модулей оперативной памяти.

Может принимать значения:

– Host CLK — частота работы модулей памяти равна тактовой частоте системной шины. При разгоне рабочая частота памяти будет

повышаться вместе с тактовой частотой системной шины;

– 66 MHz — фиксированное значение рабочей частоты модулей памяти.

В некоторых версиях BIOS может встретиться название DRAM Speed.

• DRAM Data Integrity Mode

Опция позволяет системе отслеживать и корректировать однобитные ошибки в оперативной памяти. Также будут обнаруживаться и более сложные ошибки, но исправляться они не будут. Использование данной функции возможно только в случае установки модулей памяти, поддерживающих режим коррекции ошибок ЕСС.

Может принимать значения:

– ЕСС — коррекция разрешена. Обеспечивает увеличение стабильности работы системы (правда, при небольшой потере производительности). Рекомендуется, если компьютер используется для обработки и хранения очень важной информации, т. к. позволяет своевременно выявить проблемы с памятью. Значение устанавливается по умолчанию;

– Non-ECC — коррекция запрещена. Рекомендуется, когда на первом месте стоит скорость работы, а не стабильность.

В некоторых версиях BIOS опция может означать другую функцию и, соответственно, будет принимать значения: Parity (контроль четности) или ЕСС (коррекция ошибок).

• DRAM ECC/Parity Select

Опция позволяет выбрать режим коррекции ошибок/контроля четности. Этот параметр содержится только в BIOS тех материнских плат, чипсет которых поддерживает модули памяти с коррекцией ошибок (например, 440HX/FX/LX), и может использоваться только при установке соответствующих модулей памяти. Изменение значения этого параметра возможно только при активации параметра Data Integrity (PAR/ECC) или аналогичного.

Может принимать значения:

– Parity — в случае возникновения ошибки на экран монитора выдается сообщение о сбое четности в памяти, и работа компьютера останавливается. Значение устанавливается по умолчанию;

– ЕСС — в случае возникновения одиночной ошибки она исправляется, и работа компьютера продолжается. В случае появления множественных ошибок работа компьютера приостанавливается с выводом на экран монитора соответствующего сообщения. При выборе этого значения скорость работы оперативной памяти замедляется примерно на 3 %.

• DRAMInterleave Mode

Опция позволяет реализовать режим "чередования" адресов. Функция основана на предположении, что чаще всего доступ осуществляется к некоторому массиву последовательных адресов. Данный режим позволяет значительно увеличить производительность оперативной памяти. Конкретное значение выбирается в зависимости от типа применяемых модулей памяти.

Может принимать значения:

– Banks 0+1 — режим включен для банков памяти с номерами 0 и 1;

– Banks 2+3 — режим включен для банков памяти с номерами 2 и 3;

– Both — режим включен для всех имеющихся банков памяти;

– No Interleave — функция отключена.

При использовании синхронной

памяти опция будет иметь название SDRAM Bank Interleave и значения: Disabled, 2 Banks и 4 Banks.

• DRAM Page Idle Timer

Опция позволяет устанавливать время в тактах системной шины до закрытия всех открытых страниц памяти. Функция появилась еще во времена FPM-модулей и сохранила актуальность до сих пор.

Может принимать значения:

– 1T – до закрытия открытых страниц памяти выжидается один системный такт;

– 2Т — до закрытия открытых страниц памяти выжидается два системных такта;

– 4Т – до закрытия открытых страниц памяти выжидается четыре системных такта;

– 8Т — до закрытия открытых страниц памяти выжидается восемь системных тактов.

Для увеличения быстродействия устанавливаются меньшие значения задержки, но при этом возможна нестабильная работа системы. Оптимальный вариант подбирается опытным путем.

В некоторых версиях BIOS опция может называться Paging Delay или DRAMIdle Timer.

• DRAM R/WLeadoff Timing

Опция позволяет устанавливать время доступа к оперативной памяти в зависимости от используемого модуля памяти. Если быть более точным, то устанавливается число тактов на системной шине до выполнения любых операций с памятью.

Может принимать значения:

– 8/7 — восемь тактов для чтения и семь тактов для записи данных;

– 7/5 — семь тактов для чтения и пять тактов для записи данных. В некоторых версиях BIOS можно встретить другие значения:

– 5 — обычно устанавливается только при работе с EDO DRAM со временем доступа 50 нс и меньше (или SDRAM со временем доступа 10 нс);

– 6 — устанавливается для модулей EDO DRAM со временем доступа 60 нс.

• DRAM Read Burst Timing

Опция позволяет устанавливать задержку при работе с оперативной памятью. Запрос на чтение или запись генерируется процессором не одним байтом, а сразу 4 или 8 последовательными длинными словами в строке. Это ускоряет операции с памятью, т. к. адрес передается один раз, и в дальнейшем происходит чтение или запись данных, относящихся к одной строке. В циклах чтения это выглядит как х-у-у-у для режима Normal Burst или как x-y-y-y-z-y-y-y для режима Back-to-Back Burst. Для оперативной памяти эти цифры не являются строго определенными и могут варьировать в зависимости от ее типа и скорости. Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие. Слишком малые значения могут привести к нестабильной работе памяти и, соответственно, к потере данных.

Допустимые значения для циклов обращения к памяти:

– х222 и хЗЗЗ — для памяти типа EDO DRAM;

– хЗЗЗ и х444 — для памяти типа FPM DRAM;

– x111 и х222 — для памяти типа SDRAM.

На стабильную работу при уменьшении значений оказывает влияние тип чипсета, используемого на материнской плате. Например, чипсеты Triton ТХ и НХ "выдерживают" меньшие значения, чем Triton FX. Следовательно, ТХ и НХ могут работать быстрее, чем FX. В таблице 8.1 приведены некоторые рекомендованные значения для чипсетов компании Intel.